satın almak BYCHPS ile IXFN120N65X2
Garanti ile satın alın
IXFN120N65X2
- Parça Numarası:
- IXFN120N65X2
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18886 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFN120N65X2.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFN120N65X2, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFN120N65X2 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-227 |
| Dizi: | HiPerFET™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 24 mOhm @ 54A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 890W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Diğer isimler: | 632519 IXFN120N65X2X IXFN120N65X2X-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Chassis Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFN120N65X2 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 15500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 225nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 108A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFN120N65X2 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN120N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN130N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN140N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | soruşturma |
|
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | soruşturma |
|
IXFN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | soruşturma |
 |
IXFN132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 | soruşturma |
|
IXFN170N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN170N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B | soruşturma |
|
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog