satın almak BYCHPS ile IXFN80N60P3
Garanti ile satın alın
IXFN80N60P3
- Parça Numarası:
- IXFN80N60P3
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16773 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFN80N60P3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFN80N60P3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFN80N60P3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 8mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-227B |
| Dizi: | HiPerFET™, Polar3™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 70 mOhm @ 40A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 960W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Chassis Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFN80N60P3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13100pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 600V 66A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 66A |
| Email: | [email protected] |
IXFN80N60P3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN80N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | soruşturma |
|
IXFN82N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | soruşturma |
 |
STFW3N170 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1700V 2.6A | soruşturma |
 |
STD55NH2LLT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 40A DPAK | soruşturma |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | soruşturma |
 |
AUIRLR3114Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | soruşturma |
|
IXFN80N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | soruşturma |
 |
IRFR420TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | soruşturma |
|
IXFN80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 | soruşturma |
|
IXFN80N48 | IXYS | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B | soruşturma |
 |
IRL2505STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | soruşturma |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | soruşturma |
 |
MCH3475-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 | soruşturma |
 |
APT60M60JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog