satın almak BYCHPS ile IXFQ24N50P2
Garanti ile satın alın
IXFQ24N50P2
- Parça Numarası:
- IXFQ24N50P2
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- 500V POLAR2 HIPERFETS
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Uygulanamaz / Uygulanamaz
- Mevcut Miktarı:
- 18676 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFQ24N50P2.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFQ24N50P2, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFQ24N50P2 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-3P |
| Dizi: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 480W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFQ24N50P2 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 500V 24A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 500V |
| Açıklama: | 500V POLAR2 HIPERFETS |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFQ24N50P2 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ28N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | soruşturma |
|
IXFQ24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P | soruşturma |
 |
APTC80SK15T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | soruşturma |
|
IXFQ26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | soruşturma |
 |
IXFQ23N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) | soruşturma |
|
IXFQ24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P | soruşturma |
 |
CDM3-800 TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 3A 800V DPAK | soruşturma |
|
IXFQ26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | soruşturma |
 |
FDS8884 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | soruşturma |
 |
IRL3303PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB | soruşturma |
|
IXFQ26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | soruşturma |
 |
IRLL1905TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223 | soruşturma |
 |
SUM110P08-11-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK | soruşturma |
|
IXFQ21N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P | soruşturma |
|
IXFQ20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P | soruşturma |
|
IXFQ22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO3P | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog