satın almak BYCHPS ile IXFX30N110P
Garanti ile satın alın
IXFX30N110P
- Parça Numarası:
- IXFX30N110P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12040 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFX30N110P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFX30N110P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFX30N110P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PLUS247™-3 |
| Dizi: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 360 mOhm @ 15A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 960W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IXFX30N110P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 235nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1100V (1.1kV) 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1100V (1.1kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFX30N110P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX30N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | soruşturma |
 |
BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | soruşturma |
|
IXFX32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 | soruşturma |
 |
IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | soruşturma |
|
IXFX32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX32N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 | soruşturma |
 |
FDP8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | soruşturma |
|
IXFX360N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX360N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | soruşturma |
|
IXFX32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog