satın almak BYCHPS ile IXTA182N055T7
Garanti ile satın alın
IXTA182N055T7
- Parça Numarası:
- IXTA182N055T7
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13751 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTA182N055T7.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTA182N055T7, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTA182N055T7 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263-7 (IXTA..7) |
| Dizi: | TrenchMV™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 360W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IXTA182N055T7 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4850pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 55V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 182A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTA182N055T7 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA182N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA180N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 180A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 | soruşturma |
|
IXTA15N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA160N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 | soruşturma |
 |
IXTA180N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 | soruşturma |
|
IXTA180N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | soruşturma |
 |
IXTA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA180N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 | soruşturma |
|
IXTA160N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 | soruşturma |
 |
IXTA1N170DHV | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA180N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog