satın almak BYCHPS ile IXTA3N120
Garanti ile satın alın
IXTA3N120
- Parça Numarası:
- IXTA3N120
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14884 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTA3N120.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTA3N120, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTA3N120 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263 (IXTA) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 200W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | Q2023873 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 4 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTA3N120 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1200V (1.2kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTA3N120 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA32N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK | soruşturma |
|
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA3N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 | soruşturma |
 |
IXTA340N04T4-7 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | soruşturma |
|
IXTA32P05T | IXYS | MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 | soruşturma |
 |
IXTA3N120HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog