satın almak BYCHPS ile IXTQ200N10T
Garanti ile satın alın
IXTQ200N10T
- Parça Numarası:
- IXTQ200N10T
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17412 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTQ200N10T.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTQ200N10T, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTQ200N10T e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-3P |
| Dizi: | TrenchMV™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 550W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTQ200N10T |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTQ200N10T için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ240N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ200N06P | IXYS | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ26P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P | soruşturma |
|
IXTQ28N15P | IXYS | MOSFET N-CH TO-3P | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog