satın almak BYCHPS ile IXTT16N10D2
Garanti ile satın alın
IXTT16N10D2
- Parça Numarası:
- IXTT16N10D2
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12870 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTT16N10D2.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTT16N10D2, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTT16N10D2 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | - |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-268 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 64 mOhm @ 8A, 0V |
| Güç Tüketimi (Max): | 830W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTT16N10D2 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 225nC @ 5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Depletion Mode |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTT16N10D2 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT16N20D2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT1N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | soruşturma |
|
IXTT12N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 | soruşturma |
|
IXTT16P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT1N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | soruşturma |
|
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | soruşturma |
|
IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | soruşturma |
|
IXTT1N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | soruşturma |
|
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | soruşturma |
 |
IXTT16P60P | IXYS | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 | soruşturma |
|
IXTT170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog