satın almak BYCHPS ile IXTU01N100D
Garanti ile satın alın
IXTU01N100D
- Parça Numarası:
- IXTU01N100D
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 14130 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTU01N100D.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTU01N100D, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTU01N100D e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 25µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-251 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 80 Ohm @ 50mA, 0V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTU01N100D |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | - |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Depletion Mode |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1000V (1kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTU01N100D için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | soruşturma |
|
SPU08P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 | soruşturma |
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | soruşturma |
 |
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | soruşturma |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | soruşturma |
|
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | soruşturma |
 |
IRF737LCPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB | soruşturma |
 |
IRFS4710PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | soruşturma |
 |
IRFL110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | soruşturma |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | soruşturma |
|
SI2333DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 | soruşturma |
|
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | soruşturma |
 |
DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | soruşturma |
|
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | soruşturma |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog