satın almak BYCHPS ile IXTY08N100P
Garanti ile satın alın
IXTY08N100P
- Parça Numarası:
- IXTY08N100P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18662 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTY08N100P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTY08N100P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTY08N100P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 50µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-252, (D-Pak) |
| Dizi: | Polar™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 42W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTY08N100P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1000V (1kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTY08N100P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | soruşturma |
|
IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | soruşturma |
 |
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | soruşturma |
|
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | soruşturma |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | soruşturma |
|
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | soruşturma |
|
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | soruşturma |
|
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | soruşturma |
|
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | soruşturma |
 |
RJK0629DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK | soruşturma |
 |
VP0808L-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3 | soruşturma |
 |
RQ7E110AJTCR | Rohm Semiconductor | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET | soruşturma |
|
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog