satın almak BYCHPS ile IXTY10P15T
Garanti ile satın alın
IXTY10P15T
- Parça Numarası:
- IXTY10P15T
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12388 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTY10P15T.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTY10P15T, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTY10P15T e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-252 |
| Dizi: | TrenchP™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 350 mOhm @ 5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 83W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTY10P15T |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2210pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 150V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 150V |
| Açıklama: | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTY10P15T için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
FDP33N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220 | soruşturma |
 |
IXTY1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | soruşturma |
 |
SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | soruşturma |
 |
SPI10N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK | soruşturma |
 |
SI7384DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | soruşturma |
|
IXTY12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | soruşturma |
|
IXTY15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | soruşturma |
|
IXTY1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | soruşturma |
|
IXTY1R6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | soruşturma |
 |
RQ6C050BCTCR | Rohm Semiconductor | PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET | soruşturma |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY15N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | soruşturma |
|
IXTY1N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog