satın almak BYCHPS ile MRF5P20180HR6
Garanti ile satın alın
MRF5P20180HR6
- Parça Numarası:
- MRF5P20180HR6
- Üretici firma:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Açıklama:
- FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13958 Pieces
- Veri Sayfası:
- MRF5P20180HR6.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür MRF5P20180HR6, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin MRF5P20180HR6 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - Deney: | 28V |
|---|---|
| Gerilim - Anma: | 65V |
| transistör Türü: | LDMOS |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | NI-1230 |
| Dizi: | - |
| Güç çıkışı: | 38W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | NI-1230 |
| Sesli figür: | - |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Üretici parti numarası: | MRF5P20180HR6 |
| Kazanç: | 14dB |
| Sıklık: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Genişletilmiş Açıklama: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 14dB 38W NI-1230 |
| Açıklama: | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 |
| Güncel Beğeni: | - |
| Güncel - Deney: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
MRF5P20180HR6 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5P21180HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | soruşturma |
|
MRF5P21180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | soruşturma |
 |
MRF5P20180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | soruşturma |
 |
MRF5P21045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 | soruşturma |
|
MRF5P21240HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 | soruşturma |
 |
MMRF1012NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 220MHZ | soruşturma |
 |
BLM7G1822S-40PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | soruşturma |
|
MRF5P21240HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 | soruşturma |
 |
BLF6G27LS-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502B | soruşturma |
 |
CGH60120D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog