satın almak BYCHPS ile NIF9N05CLT3G
Garanti ile satın alın
NIF9N05CLT3G
- Parça Numarası:
- NIF9N05CLT3G
- Üretici firma:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17852 Pieces
- Veri Sayfası:
- NIF9N05CLT3G.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür NIF9N05CLT3G, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin NIF9N05CLT3G e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-223 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.69W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-261-4, TO-261AA |
| Diğer isimler: | NIF9N05CLT3GOS |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Üretici parti numarası: | NIF9N05CLT3G |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 35V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 59V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
NIF9N05CLT3G için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM40N15-38_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A TO263 | soruşturma |
 |
RRL025P03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 | soruşturma |
 |
NIF9N05CLT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | soruşturma |
 |
NTD4913N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK | soruşturma |
|
NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | soruşturma |
 |
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | soruşturma |
 |
BUK9Y22-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK | soruşturma |
|
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | soruşturma |
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 100A SO8 | soruşturma |
 |
FDPF12N50NZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F | soruşturma |
|
IPB80P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | soruşturma |
 |
IXFP5N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220 | soruşturma |
 |
SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog