satın almak BYCHPS ile NP80N055MHE-S18-AY
Garanti ile satın alın
NP80N055MHE-S18-AY
- Parça Numarası:
- NP80N055MHE-S18-AY
- Üretici firma:
- Renesas Electronics America
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12540 Pieces
- Veri Sayfası:
- NP80N055MHE-S18-AY.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür NP80N055MHE-S18-AY, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin NP80N055MHE-S18-AY e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-220-3 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Üretici parti numarası: | NP80N055MHE-S18-AY |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 55V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
NP80N055MHE-S18-AY için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
NP80N04KHE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | soruşturma |
 |
NP80N055NDG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | soruşturma |
 |
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | soruşturma |
|
NP80N055KLE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | soruşturma |
|
NP80N04PUG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | soruşturma |
 |
IXFN340N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | soruşturma |
 |
MCH3476-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | soruşturma |
|
NP80N06PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | soruşturma |
|
NP80N04PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers