satın almak BYCHPS ile NTD3813N-1G
Garanti ile satın alın
NTD3813N-1G
- Parça Numarası:
- NTD3813N-1G
- Üretici firma:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17972 Pieces
- Veri Sayfası:
- NTD3813N-1G.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür NTD3813N-1G, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin NTD3813N-1G e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | I-Pak |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 8.75 mOhm @ 15A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | NTD3813N-1G |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 963pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 12.8nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 16V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 9.6A (Ta), 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
NTD3813N-1G için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD3813NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK | soruşturma |
 |
NTD3808N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | soruşturma |
 |
NTD3808N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | soruşturma |
 |
FDP025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | soruşturma |
|
NTD3813N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | soruşturma |
|
NTD3817NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK | soruşturma |
|
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | soruşturma |
|
NTD3817N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | soruşturma |
|
NTD3817N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | soruşturma |
 |
IRF9392PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | soruşturma |
 |
NVMFS5832NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog