satın almak BYCHPS ile NTLGD3502NT1G
Garanti ile satın alın
NTLGD3502NT1G
- Parça Numarası:
- NTLGD3502NT1G
- Üretici firma:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16223 Pieces
- Veri Sayfası:
- NTLGD3502NT1G.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür NTLGD3502NT1G, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin NTLGD3502NT1G e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 6-DFN (3x3) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Güç - Max: | 1.74W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Diğer isimler: | NTLGD3502NT1G-ND NTLGD3502NT1GOSTR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | NTLGD3502NT1G |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Açıklama: | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.3A, 3.6A |
| Email: | [email protected] |
NTLGD3502NT1G için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | soruşturma |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | soruşturma |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | soruşturma |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | soruşturma |
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | soruşturma |
 |
NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | soruşturma |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | soruşturma |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | soruşturma |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | soruşturma |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog