satın almak BYCHPS ile NTMSD6N303R2SG
Garanti ile satın alın
NTMSD6N303R2SG
- Parça Numarası:
- NTMSD6N303R2SG
- Üretici firma:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16279 Pieces
- Veri Sayfası:
- NTMSD6N303R2SG.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür NTMSD6N303R2SG, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin NTMSD6N303R2SG e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SOIC |
| Dizi: | FETKY™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Çalışma sıcaklığı: | - |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Üretici parti numarası: | NTMSD6N303R2SG |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 24V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Schottky Diode (Isolated) |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
NTMSD6N303R2SG için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD6N303R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | soruşturma |
|
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog