RN2610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Ön Önyarg RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Parça Numarası:: RN2610(TE85L,F)

Üretici firma:: Toshiba Semiconductor

Açıklama:: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:: Kurşunsuz / RoHS Uyumlu

Mevcut Miktarı:: 17910 Pieces

Veri Sayfası:: RN2610(TE85L,F).pdf

soruşturma

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür RN2610(TE85L,F), biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin RN2610(TE85L,F) e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.

satın almak BYCHPS ile RN2610(TE85L,F)

Garanti ile satın alın

Özellikler

Gerilim - Kollektör Verici Dağılımı (Max):	50V
Ib, Ic @ Vce Doygunluk (Max):	300mV @ 250µA, 5mA
transistör Türü:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tedarikçi Cihaz Paketi:	SM6
Dizi:	-
Direnç - Verici Bankası (R2) (Ohm):	-
Direnç - Baz (R1) (Ohm):	4.7k
Güç - Max:	300mW
paketleme:	Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:	SC-74, SOT-457
Diğer isimler:	RN2610(TE85LF)TR
bağlantı Tipi:	Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):	1 (Unlimited)
Üretici parti numarası:	RN2610(TE85L,F)
Frekans - Geçiş:	200MHz
Genişletilmiş Açıklama:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Açıklama:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Ic @ DC Akım Kazancı (hFE) (Min), Vce:	120 @ 1mA, 5V
Güncel - Kollektör Kesim (Max):	100nA (ICBO)
Güncel - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

RN2610(TE85L,F) için ilgili parçalar

görüntü	Parça Numarası	Üreticiler	Açıklama	Görünüm
	RN4907(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	soruşturma
	RN1970FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	soruşturma

Giriş

Özellikler

Hızlı Talep Alıntı

Latest Haberleri