satın almak BYCHPS ile RQ3E180AJTB
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 11mA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±12V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-HSMT (3.2x3) |
Dizi: | - |
Id, VGS @ rds On (Max): | 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 8-PowerVDFN |
Diğer isimler: | RQ3E180AJTBTR |
Çalışma sıcaklığı: | 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
Üretici parti numarası: | RQ3E180AJTB |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4290pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 39nC @ 4.5V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.5V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |