satın almak BYCHPS ile RQ3G100GNTB
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-HSMT (3.2x3) |
Dizi: | - |
Id, VGS @ rds On (Max): | 14.3 mOhm @ 10A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 2W (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 8-PowerVDFN |
Diğer isimler: | RQ3G100GNTBTR |
Çalışma sıcaklığı: | 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
Üretici parti numarası: | RQ3G100GNTB |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 615pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 8.4nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 40V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 40V 10A TSMT |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 10A (Ta) |
Email: | [email protected] |