SI1424EDH-T1-GE3
Parça Numarası:
SI1424EDH-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
12602 Pieces
Veri Sayfası:
SI1424EDH-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI1424EDH-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI1424EDH-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI1424EDH-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):1V @ 250µA
Vgs (Maks.):±8V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:SOT-363
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):33 mOhm @ 5A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Diğer isimler:SI1424EDH-T1-GE3-ND
SI1424EDH-T1-GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI1424EDH-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:18nC @ 8V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 20V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V
Açıklama:MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):4A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar