SI1471DH-T1-GE3
Parça Numarası:
SI1471DH-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
17964 Pieces
Veri Sayfası:
SI1471DH-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI1471DH-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI1471DH-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI1471DH-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):1.6V @ 250µA
Vgs (Maks.):±12V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:SC-70-6 (SOT-363)
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):100 mOhm @ 2A, 10V
Güç Tüketimi (Max):1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Diğer isimler:SI1471DH-T1-GE3TR
SI1471DHT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI1471DH-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:445pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:9.8nC @ 4.5V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 30V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):2.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):30V
Açıklama:MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):2.7A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar