SI1499DH-T1-GE3
Parça Numarası:
SI1499DH-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
18336 Pieces
Veri Sayfası:
SI1499DH-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI1499DH-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI1499DH-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI1499DH-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):800mV @ 250µA
Vgs (Maks.):±5V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:SC-70-6 (SOT-363)
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):78 mOhm @ 2A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Diğer isimler:SI1499DH-T1-GE3TR
SI1499DHT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI1499DH-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:16nC @ 4.5V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 8V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):1.2V, 4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):8V
Açıklama:MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar