satın almak BYCHPS ile SI2305CDS-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±8V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-23-3 (TO-236) |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Diğer isimler: | SI2305CDS-T1-GE3-ND SI2305CDS-T1-GE3TR SI2305CDST1GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI2305CDS-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 960pF @ 4V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 30nC @ 8V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 8V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 1.8V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 8V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 5.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |