satın almak BYCHPS ile SI3443CDV-T1-E3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±12V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 6-TSOP |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Diğer isimler: | SI3443CDV-T1-E3-ND SI3443CDV-T1-E3TR SI3443CDVT1E3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 15 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI3443CDV-T1-E3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 610pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 12.4nC @ 5V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 20V 5.97A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.5V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 5.97A (Tc) |
Email: | [email protected] |