SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3
Parça Numarası:
SI3473CDV-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
17315 Pieces
Veri Sayfası:
SI3473CDV-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI3473CDV-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI3473CDV-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI3473CDV-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):1V @ 250µA
Vgs (Maks.):±8V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:6-TSOP
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):2W (Ta), 4.2W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Diğer isimler:SI3473CDV-T1-GE3TR
SI3473CDVT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI3473CDV-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:2010pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:65nC @ 8V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):1.8V, 4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):12V
Açıklama:MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):8A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar