satın almak BYCHPS ile SI3585CDV-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 6-TSOP |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Güç - Max: | 1.4W, 1.3W |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Diğer isimler: | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI3585CDV-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
FET Tipi: | N and P-Channel |
FET Özelliği: | Logic Level Gate |
Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3.9A, 2.1A |
Email: | [email protected] |