satın almak BYCHPS ile SI3590DV-T1-E3
Garanti ile satın alın
SI3590DV-T1-E3
- Parça Numarası:
- SI3590DV-T1-E3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16323 Pieces
- Veri Sayfası:
- SI3590DV-T1-E3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI3590DV-T1-E3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI3590DV-T1-E3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 6-TSOP |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Güç - Max: | 830mW |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Diğer isimler: | SI3590DV-T1-E3TR SI3590DVT1E3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 15 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SI3590DV-T1-E3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4.5nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N and P-Channel |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.5A, 1.7A |
| Email: | [email protected] |
SI3590DV-T1-E3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3590DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP | soruşturma |
 |
FDS6890A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC | soruşturma |
 |
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | soruşturma |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | soruşturma |
 |
SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | soruşturma |
 |
PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | soruşturma |
 |
PMWD19UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | soruşturma |
 |
XP0187800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog