SI4190ADY-T1-GE3
Parça Numarası:
SI4190ADY-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
19329 Pieces
Veri Sayfası:
SI4190ADY-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI4190ADY-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI4190ADY-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI4190ADY-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.8V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:8-SO
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):8.8 mOhm @ 15A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3W (Ta), 6W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Diğer isimler:SI4190ADY-T1-GE3TR
SI4190ADYT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI4190ADY-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:67nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 100V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):100V
Açıklama:MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):18.4A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar