satın almak BYCHPS ile SI4446DY-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1.6V @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 40 mOhm @ 5.2A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.1W (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Diğer isimler: | SI4446DY-T1-GE3TR SI4446DYT1GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SI4446DY-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 12nC @ 4.5V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 40V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |