SI4456DY-T1-E3
Parça Numarası:
SI4456DY-T1-E3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
15937 Pieces
Veri Sayfası:
SI4456DY-T1-E3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI4456DY-T1-E3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI4456DY-T1-E3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI4456DY-T1-E3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.8V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:8-SO
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):3.8 mOhm @ 20A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Diğer isimler:SI4456DY-T1-E3TR
SI4456DYT1E3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI4456DY-T1-E3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:5670pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:122nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 40V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):40V
Açıklama:MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):33A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar