SI4487DY-T1-GE3
Parça Numarası:
SI4487DY-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
12686 Pieces
Veri Sayfası:
SI4487DY-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI4487DY-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI4487DY-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI4487DY-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±25V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:8-SO
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):20.5 mOhm @ 10A, 10V
Güç Tüketimi (Max):2.5W (Ta), 5W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Diğer isimler:SI4487DY-T1-GE3TR
SI4487DYT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:15 Weeks
Üretici parti numarası:SI4487DY-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1075pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:36nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 30V 11.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):30V
Açıklama:MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):11.6A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar