satın almak BYCHPS ile SI4500BDY-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
Güç - Max: | 1.3W |
paketleme: | Original-Reel® |
Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Diğer isimler: | SI4500BDY-T1-GE3DKR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SI4500BDY-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
FET Tipi: | N and P-Channel, Common Drain |
FET Özelliği: | Logic Level Gate |
Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6.6A, 3.8A |
Email: | [email protected] |