satın almak BYCHPS ile SI4973DY-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SI4973DY-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SI4973DY-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17844 Pieces
- Veri Sayfası:
- SI4973DY-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI4973DY-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI4973DY-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 23 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Güç - Max: | 1.1W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | SI4973DY-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Açıklama: | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 5.8A |
| Email: | [email protected] |
SI4973DY-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4973DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | soruşturma |
 |
DMP2060UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN | soruşturma |
 |
IRFH4251DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN | soruşturma |
|
SI4972DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC | soruşturma |
 |
APTC90TAM60TPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P | soruşturma |
 |
NTQD6968NR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | soruşturma |
 |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
|
SI4974DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | soruşturma |
 |
NX3008NBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP | soruşturma |
|
SI4972DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | soruşturma |
|
NTQD6968N | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | soruşturma |
 |
HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers