satın almak BYCHPS ile SI5403DC-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 1206-8 ChipFET™ |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 30 mOhm @ 7.2A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
paketleme: | Original-Reel® |
Paket / Kutu: | 8-SMD, Flat Lead |
Diğer isimler: | SI5403DC-T1-GE3DKR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI5403DC-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1340pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |