SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3
Parça Numarası:
SI5442DU-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
17954 Pieces
Veri Sayfası:
SI5442DU-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI5442DU-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI5442DU-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI5442DU-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):900mV @ 250µA
Vgs (Maks.):±8V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® ChipFet Single
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):10 mOhm @ 8A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
paketleme:Original-Reel®
Paket / Kutu:PowerPAK® ChipFET™ Single
Diğer isimler:SI5442DU-T1-GE3DKR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI5442DU-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:45nC @ 8V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 20V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):1.8V, 4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V
Açıklama:MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):25A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar