SI5915DC-T1-GE3
SI5915DC-T1-GE3
Parça Numarası:
SI5915DC-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
19881 Pieces
Veri Sayfası:
SI5915DC-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI5915DC-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI5915DC-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI5915DC-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):450mV @ 250µA (Min)
Tedarikçi Cihaz Paketi:1206-8 ChipFET™
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Güç - Max:1.1W
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-SMD, Flat Lead
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici parti numarası:SI5915DC-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:9nC @ 4.5V
FET Tipi:2 P-Channel (Dual)
FET Özelliği:Logic Level Gate
Genişletilmiş Açıklama:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):8V
Açıklama:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):3.4A
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar