satın almak BYCHPS ile SI5980DU-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SI5980DU-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SI5980DU-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16059 Pieces
- Veri Sayfası:
- SI5980DU-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI5980DU-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI5980DU-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 567 mOhm @ 400mA, 10V |
| Güç - Max: | 7.8W |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Diğer isimler: | SI5980DU-T1-GE3DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | SI5980DU-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 78pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 3.3nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Standard |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
SI5980DU-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
FMM75-01F | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 | soruşturma |
 |
MP6M11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 | soruşturma |
 |
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | soruşturma |
 |
APTC60HM70SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 | soruşturma |
 |
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | soruşturma |
 |
VT6M1T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 | soruşturma |
 |
SI4830ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | soruşturma |
 |
SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6 | soruşturma |
 |
NTMFD4C88NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | soruşturma |
 |
AOD607_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 | soruşturma |
 |
UPA2672T1R-E2-AX | Renesas Electronics America | MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog