satın almak BYCHPS ile SI7485DP-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 900mV @ 1mA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.8W (Ta) |
paketleme: | Original-Reel® |
Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 |
Diğer isimler: | SI7485DP-T1-GE3DKR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SI7485DP-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 150nC @ 5V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |