satın almak BYCHPS ile SI7850DP-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 22 mOhm @ 10.3A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.8W (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 |
Diğer isimler: | SI7850DP-T1-GE3TR SI7850DPT1GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 15 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI7850DP-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 60V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |