satın almak BYCHPS ile SI7882DP-T1-E3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1.4V @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.9W (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SI7882DP-T1-E3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 30nC @ 4.5V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 13A (Ta) |
Email: | [email protected] |