SI7960DP-T1-E3
SI7960DP-T1-E3
Parça Numarası:
SI7960DP-T1-E3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
19212 Pieces
Veri Sayfası:
SI7960DP-T1-E3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI7960DP-T1-E3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI7960DP-T1-E3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI7960DP-T1-E3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SO-8 Dual
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):21 mOhm @ 9.7A, 10V
Güç - Max:1.4W
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® SO-8 Dual
Diğer isimler:SI7960DP-T1-E3TR
SI7960DPT1E3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici parti numarası:SI7960DP-T1-E3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:75nC @ 10V
FET Tipi:2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği:Logic Level Gate
Genişletilmiş Açıklama:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):60V
Açıklama:MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):6.2A
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar