satın almak BYCHPS ile SI8445DB-T2-E1
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 850mV @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 4-Microfoot |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 84 mOhm @ 1A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 4-XFBGA, CSPBGA |
Diğer isimler: | SI8445DB-T2-E1TR SI8445DBT2E1 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SI8445DB-T2-E1 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 16nC @ 5V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 20V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 9.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |