satın almak BYCHPS ile SI8808DB-T2-E1
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 900mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±8V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 4-Microfoot |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 500mW (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 4-UFBGA |
Diğer isimler: | SI8808DB-T2-E1TR SI8808DBT2E1 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI8808DB-T2-E1 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 10nC @ 8V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 1.5V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | - |
Email: | [email protected] |