SI9926BDY-T1-GE3
Parça Numarası:
SI9926BDY-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
12999 Pieces
Veri Sayfası:
SI9926BDY-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI9926BDY-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI9926BDY-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI9926BDY-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):1.5V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:8-SO
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Güç - Max:1.14W
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici parti numarası:SI9926BDY-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:20nC @ 4.5V
FET Tipi:2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği:Logic Level Gate
Genişletilmiş Açıklama:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V
Açıklama:MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):6.2A
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar