satın almak BYCHPS ile SI9926BDY-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SI9926BDY-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SI9926BDY-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12999 Pieces
- Veri Sayfası:
- SI9926BDY-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI9926BDY-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI9926BDY-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Güç - Max: | 1.14W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | SI9926BDY-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Açıklama: | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
SI9926BDY-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | soruşturma |
 |
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | soruşturma |
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | soruşturma |
|
SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | soruşturma |
 |
FDS4953 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC | soruşturma |
 |
IRF7379 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | soruşturma |
 |
IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
 |
APTC60DDAM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | soruşturma |
 |
PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP | soruşturma |
|
NTJD4001NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog