satın almak BYCHPS ile SIA417DJ-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® SC-70-6 |
Diğer isimler: | SIA417DJ-T1-GE3TR SIA417DJT1GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SIA417DJ-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 4V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 32nC @ 5V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 8V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |