SIA436DJ-T1-GE3
SIA436DJ-T1-GE3
Parça Numarası:
SIA436DJ-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
13022 Pieces
Veri Sayfası:
SIA436DJ-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIA436DJ-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIA436DJ-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SIA436DJ-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):800mV @ 250µA
Vgs (Maks.):±5V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SC-70-6 Single
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® SC-70-6
Diğer isimler:SIA436DJ-T1-GE3TR
SIA436DJT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SIA436DJ-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1508pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:25.2nC @ 5V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):1.2V, 4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):8V
Açıklama:MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar