satın almak BYCHPS ile SIA517DJ-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SIA517DJ-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15299 Pieces
- Veri Sayfası:
- SIA517DJ-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIA517DJ-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIA517DJ-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Güç - Max: | 6.5W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Diğer isimler: | SIA517DJ-T1-GE3TR SIA517DJT1GE3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SIA517DJ-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 8V |
| FET Tipi: | N and P-Channel |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
| Açıklama: | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
SIA517DJ-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | soruşturma |
 |
APTMC60TLM55CT3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F | soruşturma |
 |
FDG6320C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 | soruşturma |
 |
SI7942DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 | soruşturma |
|
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | soruşturma |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | soruşturma |
 |
PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | soruşturma |
 |
SQJB80EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8 | soruşturma |
 |
SP8J2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC | soruşturma |
 |
SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 | soruşturma |
|
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP | soruşturma |
 |
AO4832 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog