satın almak BYCHPS ile SIA778DJ-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SIA778DJ-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SIA778DJ-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 19663 Pieces
- Veri Sayfası:
- SIA778DJ-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIA778DJ-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIA778DJ-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Güç - Max: | 6.5W, 5W |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Diğer isimler: | SIA778DJ-T1-GE3DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 18 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SIA778DJ-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 8V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V, 20V 4.5A, 1.5A 6.5W, 5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V, 20V |
| Açıklama: | MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.5A, 1.5A |
| Email: | [email protected] |
SIA778DJ-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
AON7804 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN | soruşturma |
 |
SH8M24TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8 | soruşturma |
 |
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | soruşturma |
 |
PMDT290UCE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | soruşturma |
 |
APTC60DDAM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | soruşturma |
 |
SI1563EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | soruşturma |
 |
IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | soruşturma |
 |
SI7501DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | soruşturma |
 |
IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 | soruşturma |
 |
BSC150N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON | soruşturma |
 |
DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | soruşturma |
 |
SIA777EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog