SIA817EDJ-T1-GE3
SIA817EDJ-T1-GE3
Parça Numarası:
SIA817EDJ-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
14745 Pieces
Veri Sayfası:
SIA817EDJ-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIA817EDJ-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIA817EDJ-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SIA817EDJ-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):1.3V @ 250µA
Vgs (Maks.):±12V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Dizi:LITTLE FOOT®
Id, VGS @ rds On (Max):65 mOhm @ 3A, 10V
Güç Tüketimi (Max):1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Diğer isimler:SIA817EDJ-T1-GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SIA817EDJ-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:23nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:Schottky Diode (Body)
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):2.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):30V
Açıklama:MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar